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磁阻效應(yīng)（magnetoresistance effect）

        半導(dǎo)體材料的電阻率隨著磁場(chǎng)強(qiáng)度的增強(qiáng)而加大,這種現(xiàn)象稱磁阻效應(yīng)。磁阻的產(chǎn)生是由于有磁場(chǎng)時(shí)載流子的運(yùn)動(dòng)發(fā)生偏轉(zhuǎn),它從一個(gè)電極到另一電極所走的路程比起沒(méi)有磁場(chǎng)時(shí)要長(zhǎng),所以電阻就增大。實(shí)際上,磁阻與載流子在材料中散射(碰撞)的細(xì)致規(guī)律和具體的能帶結(jié)構(gòu)有關(guān)。通常載流子遷移率隨磁場(chǎng)強(qiáng)度的增大而減小,于是電阻率就增加。在弱磁場(chǎng)下,材料電阻相對(duì)變化率正比于磁場(chǎng)強(qiáng)度B的平方。在強(qiáng)磁場(chǎng)下,材料電阻相對(duì)變化率與 B成正比。

磁阻位移傳感器（magnetoresistance displacement sen-sor）

        用磁阻元件檢測(cè)位移的傳感器。檢測(cè)位移的方法有兩種。第一種方法是在有梯度的磁場(chǎng)中設(shè)置磁阻元件,元件由于位置不同而承受的磁場(chǎng)有差異,故電阻值不同，根據(jù)電阻值變化便可檢測(cè)出位移。第二種方法,兩個(gè)磁阻元件僅各自的一部分受磁場(chǎng)作用,若移動(dòng)永久磁鐵,則一個(gè)磁阻元件所受磁場(chǎng)減少,電阻值隨之減少，而另一個(gè)磁阻元件所受磁場(chǎng)增加,電阻值隨之增加,兩個(gè)磁阻元件差動(dòng)地工作,根據(jù)永久磁鐵移動(dòng)而產(chǎn)生的模擬輸出即可確定位移。第二種方法已廣泛應(yīng)用。磁阻位移傳感器的特點(diǎn)是非接觸檢測(cè)位移。